Method for producing semiconductor device, and semiconductor device
WO2023007629
Art A1
2. Februar 2023
Anmelder: RESONAC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023007629
- Aktenzeichen
- EP21951833
- Anmeldetag
- 28. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 2. Februar 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/12H01L25/065H01L25/07H01L25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- RESONAC CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Resonac
Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, hervorgegangen aus Showa Denko. Das Unternehmen stellt unter anderem Halbleitermaterialien, Elektronikchemikalien und funktionale Chemieprodukte her.
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