Nitride semiconductor device, nitride semiconductor substrate, and method for manufacturing nitride semiconductor device

WO2023007781 Art A1 2. Februar 2023

Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKAI NATIONAL HIG 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023007781
Aktenzeichen: EP22848865
Anmeldetag: 15. Februar 2022
Veröffentlichung: 2. Februar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/45H01L21/223H01L21/225H01L21/228H01L21/265H01L21/28H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKAI NATIONAL HIG
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National University Corporation Tokai National Higher Education and Research System

Die National University Corporation Tokai National Higher Education and Research System ist ein japanischer Hochschulverbund mit medizinischem und naturwissenschaftlichem Forschungsschwerpunkt. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Pharma-/Biotechnologie und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2019 bis 2025 reichen von Osteogenese-Fördermitteln bis zu Polymer-Elektrolytmembranen.

619 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von