Oxide semiconductor and semiconductor device

WO2023008452 Art A1 2. Februar 2023

Anmelder: FLOSFIA INC., KYOTO UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023008452
Aktenzeichen: EP22849513
Anmeldetag: 26. Juli 2022
Veröffentlichung: 2. Februar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/365H01L21/368H01L29/24H01L29/47H01L29/872H01L29/12H01L29/78H01L29/739H01L21/338H01L29/778H01L29/812H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firmen: FLOSFIA INC.
KYOTO UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kyoto University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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