Method for producing silicon single crystal
WO2023008508
Art A1
2. Februar 2023
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023008508
- Aktenzeichen
- EP22849569
- Anmeldetag
- 28. Juli 2022
- Veröffentlichung
- 2. Februar 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B15/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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