Multi-step post-exposure treatment to improve dry development performance of metal-containing resist

WO2023009336 Art A1 2. Februar 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023009336
Aktenzeichen: EP22850092
Anmeldetag: 15. Juli 2022
Veröffentlichung: 2. Februar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/20G03F7/38G03F7/36G03F7/004

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

Vertreten von