Dummy pattern filling method and semiconductor device layout

WO2023015664 Art A1 16. Februar 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023015664
Aktenzeichen: EP21953273
Anmeldetag: 15. September 2021
Veröffentlichung: 16. Februar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/02G06F17/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

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