A method for manufacturing a substrate wafer for building group iii-v devices thereon and a substrate wafer for building group iii-v devices thereon
WO2023016829
Art A1
16. Februar 2023
Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023016829
- Aktenzeichen
- EP22753717
- Anmeldetag
- 29. Juli 2022
- Veröffentlichung
- 16. Februar 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02H01L21/306H01L21/3065H01L21/308
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SILTRONIC AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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