Method for producing semiconductor substrate and resist underlayer film forming composition

WO2023017728 Art A1 16. Februar 2023

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023017728
Aktenzeichen: EP22855791
Anmeldetag: 26. Juli 2022
Veröffentlichung: 16. Februar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08F12/30G03F7/038H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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