Semiconductor structure and manufacturing method therefor

WO2023019657 Art A1 23. Februar 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023019657
Aktenzeichen: EP21953893
Anmeldetag: 7. September 2021
Veröffentlichung: 23. Februar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/544H01L21/66H01L23/525G01R31/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von

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