Semiconductor device and manufacturing method therefor

WO2023019757 Art A1 23. Februar 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC., BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023019757
Aktenzeichen: EP21953993
Anmeldetag: 8. November 2021
Veröffentlichung: 23. Februar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

255 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von