Electrostatic protection circuit and electrostatic protection structure
WO2023020009
Art A1
23. Februar 2023
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023020009
- Aktenzeichen
- EP22857327
- Anmeldetag
- 28. April 2022
- Veröffentlichung
- 23. Februar 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/02H01L23/60H01L23/62
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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