Verfahren zur Herstellung einer Epitaktisch Beschichteten Hableiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
WO2023020825
Art A1
23. Februar 2023
Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023020825
- Aktenzeichen
- EP22758238
- Anmeldetag
- 2. August 2022
- Veröffentlichung
- 23. Februar 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B15/20C30B15/30C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SILTRONIC AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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