Controlling bit line pre-charge voltage separately for multi-level memory cells and single-level memory cells to reduce peak current consumption

WO2023022766 Art A1 23. Februar 2023

Anmelder: Sandisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023022766
Aktenzeichen: EP22858889
Anmeldetag: 6. Mai 2022
Veröffentlichung: 23. Februar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/24G11C16/10G11C16/04G11C16/30H10B43/50H10B43/27

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sandisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

2.373 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von