Hemt device having new source/drain field plate structure, and preparation method

WO2023024966 Art A1 2. März 2023

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023024966
Aktenzeichen: EP22860312
Anmeldetag: 16. August 2022
Veröffentlichung: 2. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/40H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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