Silicon carbide semiconductor device and method for producing silicon carbide semiconductor device

WO2023026803 Art A1 2. März 2023

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023026803
Aktenzeichen: EP22861094
Anmeldetag: 3. August 2022
Veröffentlichung: 2. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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