Cleaning method and production method for group iii nitride single crystal substrate

WO2023026924 Art A1 2. März 2023

Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023026924
Aktenzeichen: EP22861212
Anmeldetag: 17. August 2022
Veröffentlichung: 2. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/304C30B29/38C30B33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKUYAMA CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

1.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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