Artificial synapse element based on resistive change memory element, and method for manufacturing same
WO2023027443
Art A1
2. März 2023
Anmelder: IUCF-HYU(INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY) 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023027443
- Aktenzeichen
- EP22861653
- Anmeldetag
- 22. August 2022
- Veröffentlichung
- 2. März 2023
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IUCF-HYU(INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY)
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
Die IUCF-HYU verwaltet Forschungsergebnisse und Patente der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um anorganische Chemie und Software. Anmeldungen reichen von 2002 bis 2025.
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Vertreten von
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