Three-dimensional nand memory device and method of forming the same
WO2023028751
Art A1
9. März 2023
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023028751
- Aktenzeichen
- EP21955332
- Anmeldetag
- 30. August 2021
- Veröffentlichung
- 9. März 2023
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.