Semiconductor device and manufacturing method therefor, and nand memory device

WO2023028899 Art A1 9. März 2023

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023028899
Aktenzeichen: EP21955448
Anmeldetag: 31. August 2021
Veröffentlichung: 9. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H10B43/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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