Layout of driving circuit, semiconductor structure and semiconductor memory

WO2023029228 Art A1 9. März 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023029228
Aktenzeichen: EP21955756
Anmeldetag: 19. November 2021
Veröffentlichung: 9. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G09G3/00H01L27/02H01L23/50H01L21/66G11C29/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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