Field effect transistor device
WO2023029258
Art A1
9. März 2023
Anmelder: SOOCHOW UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023029258
- Aktenzeichen
- EP21955786
- Anmeldetag
- 1. Dezember 2021
- Veröffentlichung
- 9. März 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOOCHOW UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Soochow University
Soochow University ist eine staatliche Universität in Suzhou, China, mit breitem Fächerspektrum einschließlich Materialwissenschaft und Chemie.
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