Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor substrate

WO2023032455 Art A1 9. März 2023

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023032455
Aktenzeichen: EP22864043
Anmeldetag: 30. Juni 2022
Veröffentlichung: 9. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/12H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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