Source Drain Formation in Gate All Around Transistor

WO2023034168 Art A1 9. März 2023

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023034168
Aktenzeichen: EP22865353
Anmeldetag: 29. August 2022
Veröffentlichung: 9. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L29/06H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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