Gate-all-around device and source/drain preparation method therefor, device preparation method and electronic device

WO2023035269 Art A1 16. März 2023

Anmelder: SHANGHAI INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING INNOVATI, FUDAN UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023035269
Aktenzeichen: EP21956447
Anmeldetag: 13. September 2021
Veröffentlichung: 16. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/08H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SHANGHAI INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING INNOVATI
FUDAN UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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