Gan-based trench metal oxide schottky barrier diode and preparation method therefor

WO2023039918 Art A1 23. März 2023

Anmelder: Sun Yat-Sen University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023039918
Aktenzeichen: EP21957193
Anmeldetag: 22. September 2021
Veröffentlichung: 23. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/20H01L29/872H01L21/329

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sun Yat-Sen University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Sun Yat-Sen University

Die Sun Yat-Sen University ist eine bedeutende chinesische Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Guangzhou. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt um organische Chemie und Pharma. Anmeldungen sind seit 2003 dokumentiert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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