Photoresist spraying device and nozzle anti-crystallization method

WO2023040038 Art A1 23. März 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023040038
Aktenzeichen: EP21957302
Anmeldetag: 22. November 2021
Veröffentlichung: 23. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: B05B15/50B05B15/555B05B14/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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Fachgebiete

Verfahrens- & Trenntechnik

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