Semiconductor structure, memory, and crack testing method
WO2023040193
Art A1
23. März 2023
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023040193
- Aktenzeichen
- EP22868573
- Anmeldetag
- 21. Februar 2022
- Veröffentlichung
- 23. März 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/544H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.