Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
WO2023041359
Art A1
23. März 2023
Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023041359
- Aktenzeichen
- EP22773609
- Anmeldetag
- 5. September 2022
- Veröffentlichung
- 23. März 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B15/00C30B29/06C30B33/02H01L21/322
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SILTRONIC AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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