Ambipolar oxide-semiconductor based transistor and method of manufacturing

WO2023042091 Art A1 23. März 2023

Anmelder: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇸🇦

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023042091
Aktenzeichen: EP22773551
Anmeldetag: 14. September 2022
Veröffentlichung: 23. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/775H01L29/786H01L29/06H01L21/336H01L29/24H01L29/423H01L27/088B82Y10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇸🇦 Saudi-Arabien

🇸🇦 KAUST

Saudi-arabische Forschungsuniversität in Thuwal am Roten Meer, gegründet 2009, mit Schwerpunkten in Ingenieurwissenschaften, Materialforschung und angewandten Naturwissenschaften.

956 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von