Method for etching mask of magnetic tunnel junction
WO2023045049
Art A1
30. März 2023
Anmelder: Beijing Superstring Academy of Memory Technology 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023045049
- Aktenzeichen
- EP21958162
- Anmeldetag
- 10. November 2021
- Veröffentlichung
- 30. März 2023
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Beijing Superstring Academy of Memory Technology
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Beijing Superstring Academy of Memory Technology
Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.
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