Using Different Work-Functions To Reduce Gate-Induced Drain Leakage Current in Stacked Nanosheet Transistors

WO2023045480 Art A1 30. März 2023

Anmelder: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023045480
Aktenzeichen: EP22871541
Anmeldetag: 4. Juli 2022
Veröffentlichung: 30. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/49H01L29/786H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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