Sic crystal substrate, manufacturing method for sic crystal substrate, sic epitaxial substrate, and manufacturing method for sic epitaxial substrate

WO2023047905 Art A1 30. März 2023

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023047905
Aktenzeichen: EP22872661
Anmeldetag: 31. August 2022
Veröffentlichung: 30. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B33/12G01N23/085G01N23/2206G01N23/2273H01L21/302H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

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