Radio-frequency integrated circuits (rfics) including a porosified semiconductor isolation region to reduce noise interference and related fabrication methods

WO2023049559 Art A1 30. März 2023

Anmelder: QUALCOMM INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023049559
Aktenzeichen: EP22764609
Anmeldetag: 9. August 2022
Veröffentlichung: 30. März 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/76H01L29/06H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: QUALCOMM INCORPORATED
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Qualcomm

US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in San Diego. Qualcomm entwickelt Chipsätze und drahtlose Kommunikationstechnologien für Mobiltelefone, Netzwerke, Automobile und vernetzte Geräte.

52.525 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von