Nitride semiconductor device, and surface treatment system and method therefor

WO2023050268 Art A1 6. April 2023

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023050268
Aktenzeichen: EP21958846
Anmeldetag: 30. September 2021
Veröffentlichung: 6. April 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/67H01L21/02H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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