Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method

WO2023052355 Art A1 6. April 2023

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023052355
Aktenzeichen: EP22792823
Anmeldetag: 27. September 2022
Veröffentlichung: 6. April 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/872H01L29/78H01L21/329H01L21/336H01L29/16H01L29/47H01L21/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

1.608 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von