Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2023058209 Art A1 13. April 2023

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023058209
Aktenzeichen: EP21959951
Anmeldetag: 7. Oktober 2021
Veröffentlichung: 13. April 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/12H01L29/739H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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