Sputtering apparatus, and film forming method

WO2023058507 Art A1 13. April 2023

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, OSAKA UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023058507
Aktenzeichen: EP22878377
Anmeldetag: 27. September 2022
Veröffentlichung: 13. April 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34H01L21/203

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOKYO ELECTRON LIMITED
OSAKA UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

1.047 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von