Field effect transistors with reduced gate fringe area and method of making the same

WO2023059375 Art A2 13. April 2023

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023059375
Aktenzeichen: EP22879060
Anmeldetag: 12. Mai 2022
Veröffentlichung: 13. April 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/088H01L29/423H01L29/49H01L29/66H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von