Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure
WO2023060694
Art A1
20. April 2023
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023060694
- Aktenzeichen
- EP21960421
- Anmeldetag
- 19. November 2021
- Veröffentlichung
- 20. April 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/266H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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