New silicon-carbide-based lateral pn junction extreme ultraviolet detector based on selected area ion implantation, and preparation method therefor

WO2023061235 Art A1 20. April 2023

Anmelder: NANJING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023061235
Aktenzeichen: EP22880174
Anmeldetag: 29. September 2022
Veröffentlichung: 20. April 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0312H01L31/103H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NANJING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Nanjing University

Nanjing University ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und medizinischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf anorganische Chemie und Werkstoffe, Medizintechnik, Software sowie Verfahrens- und Messtechnik. Anmeldungen reichen von 2003 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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