Radiation resistant semiconductor device, and manufacturing method for same
WO2023062826
Art A1
20. April 2023
Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023062826
- Aktenzeichen
- EP21960679
- Anmeldetag
- 15. Oktober 2021
- Veröffentlichung
- 20. April 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/04H01L21/822H01L21/8234H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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