Nitride semiconductor substrate and method for producing same

WO2023063278 Art A1 20. April 2023

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023063278
Aktenzeichen: EP22880973
Anmeldetag: 11. Oktober 2022
Veröffentlichung: 20. April 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B25/18C30B29/38H01L21/02H01L21/20H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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