Etching method and etching apparatus

WO2023067767 Art A1 27. April 2023

Anmelder: HITACHI HIGH-TECH CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023067767
Aktenzeichen: EP21961419
Anmeldetag: 21. Oktober 2021
Veröffentlichung: 27. April 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: HITACHI HIGH-TECH CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

3.840 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von