Method for producing semiconductor substrate and resist underlayer film-forming composition

WO2023068075 Art A1 27. April 2023

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2023068075
Aktenzeichen
EP22883379
Anmeldetag
7. Oktober 2022
Veröffentlichung
27. April 2023
Rechtsraum
WO
IPC
G03F7/11C08F12/30G03F7/039
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
JSR CORPORATION
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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