Methods and structures for changing wafer bow

WO2023070624 Art A1 4. Mai 2023

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2023070624
Aktenzeichen
EP21961976
Anmeldetag
30. Oktober 2021
Veröffentlichung
4. Mai 2023
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/324H10B43/35
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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