Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

WO2023070639 Art A1 4. Mai 2023

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023070639
Aktenzeichen: EP21961990
Anmeldetag: 31. Oktober 2021
Veröffentlichung: 4. Mai 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/401H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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