Semiconductor structure and forming method therefor, and wafer bonding method

WO2023070860 Art A1 4. Mai 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2023070860
Aktenzeichen
EP21962203
Anmeldetag
13. Dezember 2021
Veröffentlichung
4. Mai 2023
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/48H01L21/18H01L21/768H01L23/544H01L23/48
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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