Three dimensional (3d) memory device and fabrication method using self-aligned multiple patterning and airgaps
WO2023077336
Art A1
11. Mai 2023
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023077336
- Aktenzeichen
- EP21962854
- Anmeldetag
- 4. November 2021
- Veröffentlichung
- 11. Mai 2023
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Vertreten von
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