Gate-all-around field effect transistor with bottom dielectric isolation

WO2023078652 Art A1 11. Mai 2023

Anmelder: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023078652
Aktenzeichen: EP22801463
Anmeldetag: 13. Oktober 2022
Veröffentlichung: 11. Mai 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L21/8238H01L29/06H01L29/775H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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