Method for evaluating film thickness of oxide film and method for producing silicon substrate with oxide film

WO2023079919 Art A1 11. Mai 2023

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023079919
Aktenzeichen: EP22889742
Anmeldetag: 12. Oktober 2022
Veröffentlichung: 11. Mai 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66G01B11/06G01J4/04H01L21/304H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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